High Level Material Silicon Metal 2502

Efni og undirbúningsaðferð með málm kísilefni, aKísilmálmur 2502nanostructure, sem samanstendur af málm kísil nanostructure sem er framleiddur á SOI undirlag; Þykkt einangrunar dielectric lags þessa SOI undirlags er 100-1000 nm, og þykkt kísilfilmsins er 50-500 nm. Undirbúningsaðferðin felur í sér hreinsun, þurrkun, snúningshúð jákvæða ljósmyndara, útsetningu, þróun og festingu og síðan að búa til grímamynstur uppbyggingu nauðsynlegs nanostructure á kísilþunnu filmuyfirborði SOI undirlagsins.

1.efni og undirbúningsaðferð með málm kísilefni, aKísilmálmur 2502nanostructure, sem samanstendur af málm kísil nanostructure sem er framleiddur á SOI undirlag; Þykkt einangrunar dielectric lags þessa SOI undirlags er 100-1000 nm, og þykkt kísilfilmsins er 50-500 nm. Undirbúningsaðferðin samanstendur af því að SOI undirlagið er hreinsað, þurrkað, snúningshúðað með jákvæðum ljósmyndara, útsettum, þróuðum og föstum og grímamynstur uppbyggingu nauðsynlegs nanostructure er framleidd á kísilþunnu filmuyfirborði SOI undirlagsins. Viðbrögð jóns ets er notuð til að eta kísilfilmuna á SOI undirlagið í nauðsynlega nanostructure, dýpt ets er þykkt kísilfilmsins og síðan á einangrunarlaginu sem inniheldur kísill nanostructure, málmfilm Málm kísill er settur og síðan bregðast málm og kísill við í föstu fasa með háhita glæðun til að mynda málm kísil, og ómetti málmurinn er fjarlægður með efnafræðilegri tæringu, það er að segja að málm kísil nanostructure myndast. Aðferðin er einföld og getur stjórnað stöðu og umfangi nanostructure.

maq per Qat: High Level Material Silicon Metal 2502, Kína High Level Material Silicon Metal 2502 Framleiðendur, birgjar, verksmiðja